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第396-399期“杰出学者”讲坛顺利举行

发布时间:2021-07-06 编辑:操莉 来源: 浏览次数:

(通讯员 游迪)202175日,396-399期“杰出学者讲坛”学术报告在材料学院国家防伪中心大楼601会议室举行。学术报告的主讲人分别为:厦门大学材料学院余兆菊教授,报告主题为:SiC基纳米陶瓷:先进制备方法、微结构构筑与性能;清华大学核能与新能源技术研究院刘荣正副教授,报告主题为:核能用陶瓷材料科学问题与工程化;西安交通大学电子科学与工程学院靳立教授,报告主题为:无铅铁电陶瓷中的电致伸缩效应与应变;以及哈尔滨工业大学(深圳校区)严资林副教授,报告主题为:From Particles to DevicesA Numerical Framework。华中科技大学材料科学与工程学院、材料成形与模具技术国家重点实验室张海波教授主持了本次讲坛。

在余兆菊教授的报告主要介绍了,1)研究了聚合物先驱体陶瓷(PDC)法经聚合物成型-热解制备系列SiC基陶瓷(如SiC-HfC-C, SiC-TaC-C, SiC-HfTaC-C等),具有优异的耐高温性能和电磁性能。并首次通过PDC法原位形成独特的金属碳化物@碳的核壳结构,同时证实核壳结构可巧妙地调控材料的性能;2)研究制备了含纳米碳相(碳纳米管,石墨烯)、催化功能氧化物(如Fe3O4)、Nowotny相的SiC基纳米复相陶瓷,在电磁吸波、电磁屏蔽、光催化分解染料及电化学催化分解水制氢等方面展现出卓越的性能。研究通过PDC法原位形成Nowotny相,首次发现其在催化、电磁性能方面的先进功能性。

在刘荣正副教授的报告主要介绍了:1)介绍了采用流化床化学气相沉积法(FB-CVD)制备以碳化硅为主要包覆层的包覆燃料颗粒的最新进展,及其制备中的关键科学问题和工程化过程;2)开发了一系列可应用在核能领域的碳化硅材料,如致密碳化硅层、细晶粒碳化硅包覆层、碳化硅//硅混合包覆层、多孔碳化硅包覆层、碳化硅纳米线、碳化硅纳米粒子等。对于以碳化硅为主要包覆层的燃料元件,在高通量核反应堆中进行了辐照试验,结果表明该碳化硅包覆层材料在核应用中的表现优异。

在靳立教授的报告主要介绍了:1)阐述了基于电致伸缩效应产生的应变具有高数值、高响应速度、滞后小、无老化效应等特点;2)通过一些典型铁电体系(包括BaTiO3基和(Na1/2Bi1/2)TiO3基陶瓷)之间的热力学关系出发,比较了介电、压电、自发极化和电致伸缩系数数值。发现KNN基铁电陶瓷也应该具有类似于BaTiO3基和(Na1/2Bi1/2)TiO3基铁电陶瓷的电致伸缩系数(Q33)3)研究了K0.5Na0.5NbO3-SrTiO3陶瓷,获得了很高的Q33,该数值为之前报道的510倍。此外获得了超高电场诱导应变(~0.3%),且滞回度可以忽略不计。研究不仅阐明了KNN基铁电陶瓷的超高电致伸缩效应,而且为基于电致伸缩效应的铁电陶瓷的超高电场诱导应变研究铺平了道路。

在严资林副教授的报告主要介绍了:1)介绍了建立基于多尺度、多物理和多过程的数值模拟框架,该数值模拟框架实现了从初始粉体颗粒经过烧结成型过程到最终器件的宏观性能以及服役性能全生命周期模拟和评价;2)以SOFC为例,研究了基于数值模拟技术和新兴的机器学习技术实现对SOFC电极的微结构和宏观性能进行调控和优化。