设备名称：高分辨扫描电子显微镜

设备型号：SU8600

生产厂家：日本日立（HITACHI）

设备简介

本设备是一款高性能的冷场发射扫描电子显微镜，代表当前扫描电镜技术的先进水平。其核心优势在于采用冷场发射电子枪，能够提供亮度极高、能量发散度极小的超细电子探针。这一特性使其在超高分辨率成像方面表现卓越，尤其是在低加速电压下，仍能获得极其清晰、无荷电损伤的样品表面形貌信息，对电子束敏感的样品（如高分子、生物材料、微细结构）具有不可替代的成像优势。配有多功能信号探测系统、 XFlash Detector760WL型斜插式无窗能谱仪、XFlash FlatQUADGEN7型平插式能谱仪（EDS）、eWarp型电子背散射衍射仪（EBSD）等附件，可实现样品表面形貌纳米级观察、元素分析、结构和结晶学研究。

主要技术指标

1. 电子枪：冷场发射电子源。

2. 探测器：样品室，下探测器（LD）、半导体式背散射电子探测器（PD-BSED ）；镜筒内，上探测器（UD）、顶探测器（TD）。

3. 加速电压：0.5~30 kV，0.02~20 kV（减速模式）。

4. 最大电子束流强度：≥20 nA。

5. 放大倍率：40×~2000000×。

6. 二次电子像分辨率：0.6 nm@15kV，0.7nm@1kV。

7. 样品尺寸：最大直径Ф150 mm。

8. 能谱分析（EDS）：分析元素下限Li3，能量分辨率优于127 eV@Mn Kα，空间分辨率3 nm。

9. 背散射电子衍射（EBSD）：14400 pps@10 KV 10 nA。

主要功能

该设备可广泛应用于需要对材料微观形貌、成分及结构进行深入研究的领域，包括但不限于：

(1)  材料科学：金属、陶瓷、高分子、复合材料等的断口分析、相结构观察、涂层/界面表征、粒度分析；

(2)  半导体与电子行业：芯片、LED、PCB的缺陷检测、尺寸量测、镀层厚度及成分分析；

(3)  纳米技术与能源材料：纳米颗粒、石墨烯、碳纳米管、电池材料、催化剂的形貌与元素分布研究；

(4）生命科学：细胞、组织、生物矿物、生物材料（无需重金属染色即可观察）的表面超微结构；

(5）地球科学：矿物、岩石、沉积物的微区形貌与成分鉴定。失效分析：产品或元件失效原因的微观溯源与成分溯源。

样品要求

1. 样品可以是块体、粉末、薄膜，待测样品尺寸尽量小，特殊形状的块体或薄膜请提前电话咨询。

2. 严禁测试以下两类样品：(1) 含挥发性成分或在强电子束流下易分解的样品（如石蜡、橡胶、镶嵌样品等）；(2) 疏松多孔、镶嵌类样品。

安放地点：先进制造工程大楼西楼一楼D101-3室

联系人及联系方式：高老师       159 2732 7825