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美国罗格斯大学Elena Galoppini教授做客实验室第703期 “杰出学者讲坛”

作者: 时间:2026-05-18 点击量:

(通讯员  吴奕涵)2026年5月11日,美国罗格斯大学Elena Galoppini教授应黄云辉教授邀请来我校访问,做客我室第703期“杰出学者讲坛”,在东校区WISCO联合实验室607会议室做了题为“Light at Interfaces: Functionalization of Nanostructured Semiconductor Surfaces with Light Harvesters Using Linker Design”的学术报告。

Elena Galoppini教授为国际知名有机化学家,本科毕业于意大利比萨大学化学系,在美国芝加哥大学获博士学位,随后在美国德克萨斯大学奥斯汀分校从事博士后研究。1996年加入美国罗格斯大学纽瓦克分校任教,现任该校杰出教授。她的研究聚焦于纳米结构半导体表面的生色团功能化,精准调控光诱导异相电荷转移过程,主持多项重要科研项目,研究成果覆盖太阳能转换、电致变色材料、纳米传感器等关键应用领域。以通讯作者在国际权威期刊发表多篇高水平论文,在分子半导体界面电荷调控方向做出系统性贡献,在应用光学与光子材料领域具有重要国际影响力。2022年起,担任 ACS 旗下新刊ACS Applied Optical Materials 创刊副主编。

本次报告中,Elena Galoppini 教授围绕“分子半导体杂化界面的精准设计”主题,系统介绍了利用连接体实现光捕获功能分子修饰纳米半导体表面的前沿进展。报告指出,分子水平上控制杂化界面结构与能量排布是发展太阳能发电、高附加值化学品合成等革新性技术的核心前提,而传统界面修饰方法难以实现距离、取向与电荷转移效率的协同调控。原位、定向、功能化的连接体分子设计,为破解界面电荷转移机制难题提供了关键路径。Galoppini教授详细分享了团队连接体单元化合物结构性能关系的研究成果,微小的结构变化会对界面电荷转移效率产生显著的影响;同时深入讲解了大取向分子偶极连接体的设计策略,可精准调控半导体界面的能级排布,为高效光电器件与光催化体系提供了底层设计方案。报告内容兼具基础科学深度与工程应用价值。

报告结束后,现场师生积极提问,围绕连接体组成以及科研方法等问题与Elena Galoppini教授展开深入交流。本次讲坛不仅展示了分子界面功能化的前沿成果,也为实验室在光电材料、界面科学与纳米器件等方向的研究提供了重要学术启发与技术借鉴。


审核、校对:许恒辉、孙伟

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