2026年1月25日上午，实验室第687期“杰出学者讲坛”在我校增材制造陶瓷材料中心二楼会议室顺利举行，主讲人是来自香港理工大学的柴扬教授，报告题目“Low-Power Electronics Based on Two-Dimensional Materials Devices with Semimetal”。报告由李渊教授主持，周兴等老师和研究生共同参加并讨论交流。

柴扬博士，香港理工大学半导体讲座教授，香港理工大学人工智能物联网研究院院长理学院副院长、联合微电子研究中心主任、材料与器件中心实验室主任，香港半导体技术联盟主席，IEEE EDS 纳米技术主席，ACS Nano 副主编。获选IEEE Fellow、OpticaFellow、IOP Fellow、Croucher Senior Fellow、中银(香港)科技创新奖、香港研究资助局杰出青年学者、Falling Walls Science Breakthrough Prize、国家杰出青年科学基金。研究兴趣主要集中在新型电子器件。

此次报告中，柴扬教授重点分享了二维电子器件方面的研究。当前，实现与p型半导体的低电阻接触是一项关键挑战。半金属可通过抑制金属诱导能隙态（MIGS）与半导体形成低电阻接触。尽管研究人员已利用铋元素成功实现了n型二维半导体的超低接触电阻，但p型二维半导体的低电阻接触仍面临巨大困难。柴扬教授团队的研究引入超薄硒（Se）界面层（硒是元素周期表中功函数最高的元素），以降低肖特基势垒高度。硒界面层与金电极之间的能带杂化效应，促使接触界面处发生半导体-半金属相变。由于费米能级附近的态密度较低，该相变可有效抑制半导体中金属诱导能隙态的形成。通过在p型二硒化钨（WSe2）晶体管中引入这种高有效功函数及能带杂化半金属接触结构，成功大幅降低了器件的接触电阻。此外，该团队的研究还基于该结构制备出适用于低功耗电子器件的拓扑相变晶体管与能谷晶体管。

在交流讨论环节，参会师生围绕Se界面层的可控引入和界面势垒的有效控制等问题与刘柴扬教授进行了深入探讨。柴扬教授对师生提出的问题给予了专业而详尽的解答。整场讲座学术氛围热烈，互动积极。同学们表示受益匪浅，不仅提升了他们对器件的接触电阻理解，而且启发了设计新的低接触电阻器件的科研思路，对开展相关领域研究具有重要的指导意义。

审核、校对：李渊、孙伟