2026年1月25日上午，应由李渊教授邀请，德国于利希研究中心固体研究所Ilia Valov教授做客实验室第686期“杰出学者讲坛”，在我校增材制造陶瓷材料中心二楼会议室做了题为“Materials Design of Memristive Functionalities - from New Fundamentals to New Applications”的学术报告。报告由李渊教授主持，周兴等老师和众多研究生参加并讨论交流。

Ilia Valov博士，保加利亚科学院电化学与能源系统研究所电化学教授，同时担任德国于利希研究中心纳米电化学研究组组长，并在亚琛工业大学任教。他于1998年在保加利亚索非亚化工冶金大学获材料电化学专业硕士学位，2006年在德国吉森大学以最高荣誉获固体物理化学博士学位。研究兴趣和活动主要集中在纳米及亚纳米尺度的电化学及广义物理化学现象，重点关注人工神经元与突触、忆阻与神经形态器件、能量转换与电催化等领域，研究特别关注材料化学、结构与性能之间的关系以及材料设计与具体应用和功能性的结合。发表研究论文160余篇，总引用逾13,000次，H指数58。

此次报告中，Ilia Valov教授重点分享了忆阻器领域的相关研究。在过去十年中忆阻器取得的显著发展，其应用范围已远超存储器领域。尤其重要的是它们作为人工神经元和突触的功能，这使其成为下一代仿生神经形态硬件极具前景的基础构建单元。本次汇报探讨了生物神经元、突触与忆阻人工神经元、突触的工作原理及电化学基础，同时阐述材料设计的新视角及其对ECM（导电桥接存储器）和VCM（氧化还原存储器）器件的物理化学过程与功能特性的影响。此外，提出了一种名为“细丝电导率变化机制”的新机制，并介绍其在解决遗忘问题中的应用。最后，重点讨论了肖特基势垒与电化学氧化还原势垒之间的相互作用，并进行了批判性分析。

在交流讨论环节，参会师生围绕细丝电导率变化机制和肖特基势垒与电化学氧化还原势垒之间的相互作用等问题与Ilia Valov教授进行了深入探讨。Ilia Valov教授对师生提出的问题给予了专业而详尽的解答。整场讲座学术氛围热烈，互动积极。同学们表示受益匪浅，不仅提升了他们对忆阻器机制的理解，而且启发了构筑高性能忆阻器件的科研思路，对开展相关领域研究具有重要的指导意义。

校对、审核：李渊、孙伟