（通讯员 张逊） 2019年1月17日下午，实验室第305期“杰出学者讲坛”在先进制造大楼西楼A308报告厅顺利举行。本次主讲人是来自北京航空航天大学材料科学与工程学院高分子及复合材料系的宫勇吉教授，报告题目“基于二维材料的研究：合成、性质调控与应用”。实验室副主任翟天佑教授主持本期讲坛，甘霖、诸葛福伟、刘友文等老师和众多博士后、博士生和硕士生参加了本期讲坛。

宫勇吉，北京航空航天大学教授、博士生导师，入选2017福布斯中国30位30岁以下精英榜。2007年从莱阳一中毕业后被保送进入北京大学化学系，2011年毕业于北京大学化学与分子工程学院，获得本科学士学位。2011.08-2015.12在美国莱斯大学获得博士学位，师从Ajayan教授，主要研究方向为新型二维材料及其异质结构；2016.03-2017.05在美国斯坦福大学从事博士后研究，师从Yi Cui教授，主要研究方向为二维材料的性质调控以及新能源材料等。在美国斯坦福大学攻读完博士后，进入北京航空航天大学材料科学与工程学院高分子及复合材料系工作。最近5年，在材料学相关领域以第一作者、并列一作或通讯作者发表顶级期刊20篇，包括Nature materials、Nature communications、Advanced materials、Nano letters等。另外以共同作者的身份发表论文共60篇左右，包括Nature、Nature nanotechnology等。引用次数逾4000，H因子28，成果多次被Nature、Nature Materials、Nature Nanotechnology等著名杂志专题报道。申请美国专利2项，并多次受邀为Nature Communications、Science Advance、Advanced Materials、Nano letters等期刊审稿。

首先，由翟天佑教授对宫勇吉教授的科研经历、研究领域、科研成果以及获奖情况等进行了简单介绍。报告会上，宫勇吉教授就二维原子层结构材料的背景、生长、改性处理以及其在光电器件和电化学储能器件方面的应用向大家进行了详细的介绍。首先，宫教授向大家简单介绍了通过化学气相沉积的方法合成大规模的二维材料，并且可以得到毫米尺寸的二维半导体的单晶。然后系统地探讨了二维材料微观结构与宏观物质之间的构效关系，通过对缺陷调控以及杂原子掺杂的方法提高二维材料的性能，获得了高性能石墨烯基的场效应晶体管，成功地得到了稳定的T相硫化钼的合金，并实现了稳定高效的电解水的催化剂；发展了合成二维半导体材料异质结的方法，实现了原子级别锐利的异质结界面；发展了通过插层调控二维材料性质的新方法，通过不同的过渡金属原子插层，实现了由一个母体材料衍生的n型半导体，p型半导体以及金属三个状态。详细介绍了MoSe2、MoSe2-2xS2x、h-BNC等体系的研究，以及材料在HER、电化学等方向的应用。

报告会上，老师和同学们对宫教授的研究情况表现出了强烈的兴趣。报告结束后，老师和同学们积极提问，就离子插层中存在的实现手段、机理、表征等问题进行了相关的探讨，并且对电化学催化的和电池应用进行了相互交流，同学们受益匪浅。宫教授对老师和同学们提出的问题进行了充分的肯定，并逐一进行了耐心的讲解，针对行业存在的问题，也进行了未来的评测。通过本次报告，同学们对二维材料大尺寸制备方法有了进一步的了解，同时对材料与能源应用的方向有了更深的理解，同学们均表示此次活动对大家以后的科研有极大的启示作用。