（通讯员 郭洋） 2025年10月30日下午，应实验室李渊教授邀请，湖南大学刘渊教授做客实验室第667期“杰出学者讲坛”，为师生们带来了题为“二维半导体的高密度三维范德华集成”的精彩学术报告。
刘渊，湖南大学物理与微电子科学学院教授、博士生导师，国家杰出青年基金获得者，国家海外高层次人才。2010年在浙江大学获学士学位，2015年在加州大学洛杉矶分校获博士学位，2015-2017年在加州纳米技术研究院（CNSI）从事博士后研究，2017年入职湖南大学。现主要从事二维半导体微纳电子器件的集成工艺研究。发表SCI论文120余篇，总引用3万余篇次，多篇论文入选高被引论文或热点论文。获纳米研究青年创新奖（2021）、达摩院青橙奖（2021）、霍英东青年教师基金（2020），入选科睿唯安“全球高被引科学家”（2018-2023）、爱思唯尔“中国高被引学者”（2021-2023）。
此次报告中，刘渊教授重点分享了二维半导体的范德华层层集成、硅基侧壁上的集成、垂直晶体管的三维集成三个方面的研究。在范德华层层集成方面，刘教授阐述了一种低温的一步范德华单芯片三维集成方法，将所有必要的电路元件预制在牺牲晶圆上，在120℃下范德华层压到二维半导体晶圆上，实现了10层的全范德华单芯片三维集成。在硅基侧壁集成方面，刘教授着重介绍了高密度垂直晶体管的T压印方法，使用这一方法克服了平面工艺和垂直结构之间的不兼容性，实现了超过1011cm-2的器件密度。在垂直晶体管的三维集成方面，刘教授阐述了如果进一步减小垂直晶体管纵向尺寸以及拓展到非二维沟道的几条思路。
在交流讨论环节，参会师生围绕二维半导体的厚度和质量控制以及范德华层层集成器件的性能优化等问题与刘教授进行了深入探讨，刘教授对师生提出的问题给予了专业而详尽的解答。同学们表示受益匪浅，不仅提升了他们对二维半导体材料体系的理解，而且启发了高密度三维范德华集成器件的科研思路，对开展相关领域研究具有重要的指导意义。
校对、审核：李渊、孙伟
