设备介绍
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场发射俄歇电子能谱仪

作者: 时间:2023-05-29 点击量:

  

资产编号:02212654

设备名称:场发射俄歇电子能谱仪

设备型号:JAMP-9510F

生产厂家:日本JEOL

 

设备简介

本设备由肖特基场发射电子枪、氩离子枪、多通道俄歇电子探测器、半球静电能量分析器(HAS)、全自动五轴样品台等组成,能实现超高空间分辨率下样品最表层(4 nm以内)元素的定性分析及定量分析。结合氩离子刻蚀,可获得样品表面沿深度方向的元素分布状态;结合原位样品转移仓,可获得厌氧样品的表面化学分布。

主要技术指标

1. 俄歇电子能量:探测范围0~2500 eV,分辨率0.05%~0.6%连续可调

2. 图像分辨率:俄歇电子图像分辨率8 nm@1 nA@25 kV,二次电子图像分辨率3 nm@10 pA@25 kV

3. 俄歇元素灵敏度(CuLMM):840 kcps@10 nA@10 kV

4. 分析元素范围:Li 3~U 92。

5. 元素浓度检测极限:可达0.1 at%。

主要功能

可进行固态样品的纳米级深表层元素的定性和定量分析、化学态分析;也可定位到微区,对点、线、面进行采谱分析,得到面分布俄歇电子像;采集反射电子能量损失谱(REELS),并可执行样品荷电中和、表面清洁和深度剖析。广泛用于新材料、新能源等领域,特别是半导体材料、半导体薄膜工艺及失效分析等领域。

表面元素价态面分布


表面元素面分布(分析横向区域直径~20 nm,分析深度4 nm以内,分析元素Li 3~U 92

样品要求

固态样品:截面尺寸10×10 mm2,厚度5 mm与观察面相对的背面必须为平面,导电,干燥,无磁性,不含挥发性物质、腐蚀性物质、有毒物质、放射性物质等,不可带有镶嵌物料

  

安放地点:先进制造工程大楼西楼一楼C101-3室

联系人及联系方式:高老师      159 2732 7825

 

地址:材料成形与模具技术全国重点实验室
邮编:430074 | 电话:027-87554405

E-mail:matproc@hust.edu.cn  

地址:湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号先进制造工程大楼西楼