资产编号：01515182

设备名称：微纳操纵及原位光电分析扫描电子显微镜系统

设备型号：Quanta650 FEG

生产厂家：美国FEI

设备简介

本系统以场发射扫描电子显微镜为基础，集成阴极荧光光谱分析、微纳操纵机械臂、外部电学测量等功能，构建了一个直观、实时和原位研究先进功能材料和器件物理性能的综合系统，不仅可以实现对纳米材料或器件的原位发光检测和电学物性测试、纳米尺度的精确操纵和控制、特定纳米光电子器件的构筑，还可以实现实时原位研究微纳器件材料光电转换过程的动态信息。

主要技术指标

1. Quanta 650 FEG场发射扫描电子显微镜（FSEM）：最大束流200 nA，放大倍数25×~1000000×，二次电子像分辨率优于1.0 nm@30 kV，背散射电子像分辨率优于2.5 nm@30 kV。

2. TeamPeagasus能谱（EDS）与电子背散射衍射谱（EBSD）联用仪：EDS，元素分析范围Be 4~U 92，能量分辨率优于129 eV@Mn Kα；EBSD，像素分辨率640×480，1000点/秒采集速度。

3. MP-32S阴极荧光光谱仪：光谱范围106~1700 nm，光谱分辨率0.07 nm（1200 gr/mm刻线，400 nm激发）。

4. MM3A-EM电镜微纳操纵仪：移动范围，XY平面≤50 nm，Z轴≤12 nm；移动速率，XY平面≤10 nm/s，Z轴≤2 nm/s；精度，XY平面≤5 nm 、Z轴≤0.5 nm；漂移量<1 nm/min。

5. B1500A半导体特性分析仪：在0.1 fA~1 A/0.5 μV~200 V范围内进行精确的电流-电压（IV）测量，支持点测量、扫描测量、采样和脉冲测量；在 1 kHz~5 MHz频率范围内进行交流电容测量，支持准静态电容-电压（QS-CV）测量的脉冲IV测量、超快IV测量，最大采样率200 MSa/s（最小采样间隔5 ns）。

6. 81110A脉冲/码型发生器：可选择脉冲或突发或码型模式，可选择触发或PPL操作，频率可达330 MHz（还是165 MHz），输出阻抗50 Ω，在 50 Ω负载上可以提供高达 3.8 Vpp 的输出电压。

7. DSO9254A示波器：配备4个模拟通道，将示波器、逻辑分析仪和协议分析仪三合一，具有强大的模拟信号观测、调试与分析能力，带宽2.5 GHz（可升级），最大采样率20 GSa/s，每通道10 Mpts标准存储深度（可升级至1 Gpts），可用于高速数字设计、串行协议分析、电源完整性测试、复杂系统验证。

8. ELPHYPlus纳米图形发生器：具有DXF/DWG读/写转换GDSII/CIF图形导入功能，同步扫描频率5 MHz，兼容6 MHz，电子束停留时间最小增量（定时精度）1 ns，最小步距增量0.1 nm，矢量扫描刻写方式。

9. PP3005电镜冷冻台：最低温度可至‒190 ℃，温度稳定性优于±0.5 ℃。 

主要功能

材料的微观形貌观察、组织、成分分析；构件的断口失效分析；功能材料及器件的原位发光检测和电学物性测试、光电转换过程原位研究；纳米尺度的精确操作和控制；特定纳米光电子器件的构筑。 

MoS2薄膜的图案化电子束曝光（EBL）

LAGP电解质的原位电化学SEM微纳操纵实时动态失效过程观察

TA1纯钛变形组织的EBSD表征及变形过程中的位错滑移和孪生变形机制分析 

不同厚度Ga2S3三角薄片的室温、113-293 K范围的CL光谱分析(a，b)、 667 nm波长处积分CL强度的实验结果及拟合结果(c)

样品要求

1. 样品可以是块体、粉末、薄膜，待测样品尺寸尽量小，特殊形状的块体或薄膜请提前电话咨询。

2. 严禁测试以下几类样品：(1) 磁性粉末样品；(2) 含挥发性成分或在强电子束流下易分解的样品（如石蜡、橡胶、镶嵌样品等）；(3) 疏松多孔、镶嵌类样品；(4) 生物样品。

安放地点：先进制造工程大楼西楼一楼C101-2室

联系人及联系方式：熊老师       153 2712 2210