（通讯员 诸葛福伟）2023年10月23日上午10:00，在先进制造大楼西楼A308报告厅顺利举办了第533期“杰出学者讲坛”系列讲座。这次讲座的主讲人是浙江大学的薛飞研究员，讲座题目是“二维铁电的物性设计及类脑器件应用”。华中科技大学翟天佑教授主持了本次讲坛，翟天佑教授、诸葛福伟副教授等老师和众多博士、硕士研究生参加了该报告。
在报告上，薛飞研究员介绍了铁电存储器件的发展背景，随后提出了新型的低维铁电存储器件给类脑计算和存算一体的硬件设施提供了全新的希望和方向。紧接着，薛老师介绍了质子注入法在低维铁电器件中的应用，并讲解了高温铁电类脑计算方面的工作。最后，他介绍了在低维铁电存储器件的界面工程、相变调制等物性方面的持续探索，以及这些物性在类脑计算领域的新突破。
听完薛飞老师的报告，参会的老师和同学们都表现出浓厚的兴趣，与薛飞老师在CuCrP2S6材料的相变温度和单晶性、二维铁电材料的优劣以及未来二维铁电材料领域需要解决的问题等方面展开了深入的交流和讨论。
薛飞，浙江大学杭州国际科创中心科创百人研究员（求是科创学者），浙江大学微纳电子学院兼聘研究员。主要从事信息存储与感知器件的研究，聚焦在二维铁电材料与器件、压电电子学器件等领域。近几年在 Nature Electronics 等国内外知名杂志上发表文章 30多篇，其中第一或通讯作者论文包括 Science Advances、Nature Communication s（2）、Matter、Advanced Materials（4）、Advanced Functional Materials（3）、ACS Nano（2）、IEEE-TED 等。获授权/公开中国专利6项。主持国家自然基金委青年基金，骨干参与浙江省创新群体项目。国际期刊 Microelectronic Engineering （EIsevier） 副主编。
