（通讯员  田瀚升）2026年4月15日下午，实验室第698期“杰出学者讲坛”在先进制造大楼西楼C306会议室顺利举行。本期主讲人是来自维也纳工业大学微电子研究所的Tibor Grasser教授，报告题目“Benchmarking Insulators for Devices Based on 2D Materials”。刘开朗教授主持报告，参加人员包括诸葛福伟教授、周兴教授、郭二娟教授等老师和众多研究生。

Tibor Grasser教授，IEEE会士，维也纳技术大学微电子研究所所长，北京大学客座教授。编辑出版多部学术专著，涉及偏置温度不稳定性、热载流子退化和低频噪声等多个领域（由Springer出版），担任IEEE EDS杰出讲师，参与IEDM（现任大会主席）、IRPS、SISPAD、ESSDERC和IIRW等多个重要会议，曾获IRPS（2008、2010、2012、2014）、IPFA（2013、2014）、ESREF（2008）的最佳论文奖和杰出论文奖，IEEE EDS Paul Rappaport奖（2011）。曾任IEEE T-ED和Microelectronics Reliability（Elsevier）副主编。 

本次报告中，Tibor Grasser教授系统阐述了二维材料器件在可靠性方面面临的核心挑战与应对策略。他总结了在栅介质材料选择方面的四项关键要求：低栅漏电、沟道/介质界面低悬挂键密度、介质内部低缺陷浓度以及高介电常数。他指出，传统Si基三维结构中的SiO₂/HfO₂栅介质与二维材料沟道之间存在大量悬挂键，而二维hBN虽能改善界面问题，但其较低的介电常数和带隙难以满足器件持续微缩的需求。针对上述瓶颈，Tibor Grasser教授介绍了当前前沿的两大栅介质策略：其一是沿袭Si基材料中采用原生氧化物的思路，如以Bi₂O₂Se为沟道、Bi₂SeO₅为原生栅介质；其二是利用层状钙钛矿（如SrTiO₃）或离子化合物（如CaF₂）有效减少界面悬挂键，从而显著提升器件性能与可靠性。

在听取了Tibor Grasser教授的报告后，与会师生反响热烈，表现出浓厚的学术兴趣。大家围绕如何选择合适的栅介质材料以提升二维材料器件性能与可靠性等关键问题，与Tibor Grasser教授展开了深入的交流与讨论。

审核、校对：孙伟