首页

联系我们

华中科技大学材料成形与模具技术全国重点实验室

电话:027-87554405

当前位置: 首页 > 新闻动态 > 正文

深圳理工大学/中科院深圳先进技术研究院丁峰教授应邀做客第461期“杰出学者”讲坛

发布时间:2023-04-03 编辑:操莉 来源: 浏览次数:

(通讯员 赵英鹤)20233月29日下午15:30,在先进制造大楼西楼A308会议室举行了第461“杰出学者讲坛”学术报告。本次学术报告的主讲人为深圳理工大学/中科院深圳先进技术研究院的丁峰教授,报告题目是“Theories for Experimental Design”。翟天佑教授主持报告,李渊、赵英鹤、吴梦昊、刘开朗和周兴等老师参加了本次报告。

丁峰教授2002年于南京大学获理学博士学位,毕业后2003-2005年期间在瑞典哥德堡大学开展博士后研究2005-2008年在美国Rice大学从事访问学者研究;2009-2016年在香港理工大学任助理教授和副教授;2017-2022年在韩国蔚山国立科技学院(UNIST)任杰出教授并兼任韩国基础科学研究院(IBS)多维碳材料中心理论组组长,期间获得每年150万美元的稳定资助;于2022年底加入筹建中的深圳理工大学任讲席教授并兼任中国科学院深圳先进技术研究院的研究员。丁峰教授是国际上通过原子尺度模拟手段研究材料生长机制的先驱者之一,他所领导的课题组在国际上率先开始了碳纳米管生长理论,石墨烯以及其他二维材料生长理论的研究,解释了大量实验现象,提出并实现了很多低维材料的可控生长。到目前为止,丁峰教授及其合作者发表论文300多篇,引用达20,000多次。

随着材料理论和计算机技术的发展,目前在理论上模拟并预言材料的生长行为已经成为可能。理论研究目前已经是实现材料设计和材料可控生长的重要手段之一,有望大大缩短实验上开发材料的时间周期。在本次报告中丁峰教授分享了在过去20年间自己科研实践中所发展的低维材料生长理论以及与之相关的实验设计和进展。具体内容包括:(1)材料生长机制理论开发的基本框架;(2)二维材料的生长理论与可控生长,包括CVD石墨烯在金属表面的生长行为, 单层二维材料大单晶的生长机制与实验,一个厚度可控二维材料制备的理论机制;(3)通过晶粒异常长大(abnormal grain growth)实现金属大单晶生长的机制与实验实现。最后,丁老师展望了材料生长机制的理论研究在国家核心技术中的重要作用。

丁老师的报告引起了在场老师和同学们的浓厚兴趣。他们就材料生长计算模拟方法、衬底对称性和台阶调控策略实现晶圆级单晶二维材料生长,晶圆级二维材料异质结可能的生长机制以及晶粒异常长大背后的具体微观过程等方面提出了问题。丁老师一一细致地进行了阐述和解答,分享了自己独特和深入的思考视角。通过本次交流探讨,老师和同学们拓宽了对二维材料生长机制的知识面,激发了在科研中解决问题的思路,并且纷纷表示受益良多。